行激励不足电压是多少

什么是行激励不足电压？

在电路中，行激励是指通过行地址线向存储器发送的信号。行激励不足电压是指在发送行地址时，由于电压不足而导致存储器无法正确识别信号的情况。

行激励不足电压是多少？

行激励不足电压的大小取决于存储器的类型和制造工艺。SRAM存储器的行激励不足电压为0.8V，而DRAM存储器的行激励不足电压为1.2V。

行激励不足电压对电路有什么影响？

行激励不足电压会导致存储器无法正确识别信号，从而影响电路的正常工作。如果行激励不足电压过高或持续时间过长，还可能会对存储器造成永久性损坏。